Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI5504DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 30V 3.9/2.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI5509DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI5511DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 30V 4.0/3.7A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI5513CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4.0/3.7A 3.1W 55/150mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4A/3.7A N/P-CH COMPLIMENTARY MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：4... | ||||||
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SI5513DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 4.2/2.9A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI5513DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4.2/2.9A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI5515CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 36/100mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8... | ||||||
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SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4A / 4A N & P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：4 ... | ||||||
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SI5515DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET COMPLEMENTARY 20-V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8... | ||||||
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SI5517DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8... | ||||||
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SI5517DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8... | ||||||
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SI5519DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK-8 ChipFET Dual | MOSFET 20V 6.0A 10.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI5519DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET N/P-Ch ChipFET 20V 36/64mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI8405DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 12V 4.9A 2.77W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI8405DB-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 12V 4.9A 2.77W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI8406DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（1.5x1） | MOSFET 20V 16A 13W 33mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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SI8407DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（2.4x2） | MOSFET 20V 8.2A 2.9W 27mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI8409DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 30V 5.3A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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SI8401DB-T1 | Vishay/Siliconix | Micro Foot-4 | MOSFET 20V 4.9A 1.47W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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