Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI5908DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | 3,598 | MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5913DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 84mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5915BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8.0V 4.0A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI5915DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8.0V 4.6A 2.1W 70mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI5920DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 8.0V 4.0A 3.12W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SI5933CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5933CDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.7A 2.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5933DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 3.6A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5933DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.6A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5935CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 100mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 4A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5935DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET DUAL P-CH 1.8V (G-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5938DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET 20V 6.0A 8.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5938DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK-8 ChipFET Dual | MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5943DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET DUAL P-CH 12V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5943DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET 12V 6.0A 8.3W 64mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5944DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET 40V 6.0A 10W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5944DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5947DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET DUAL P-CH 20V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5947DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? ChipFet 双 | MOSFET 20V 6.0A 10.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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