SI5938DU-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK-8 ChipFET Dual
数量:
 8379  
说明:
 MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V
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SI5938DU-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI5938DU-GE3
典型关闭延迟时间:40 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:65 ns
功率耗散:2.3 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:10 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK-8 ChipFET Dual
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):39 mOhms
漏极连续电流:7.2 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI5938DU-T1-GE3的详细信息,包括SI5938DU-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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