Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIHD7N60ETL-GE3 | Vishay/Siliconix | DPAK (TO-252) | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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SIHD7N60ETR-GE3 | Vishay/Siliconix | DPAK (TO-252) | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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SIHF10N40D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 整包 | 642 | MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHF12N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 整包 | 994 | MOSFET N-Channel 500V | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲极/... | ||||||
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SIHF12N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 整包 | MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHF15N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 整包 | MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SiHF16N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220 整包 | MOSFET N-Channel 500V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流：16 A，配置：Sin... | ||||||
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SIHF18N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220 整包 | MOSFET 500V 280mOhm@10V 18A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流：18 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SiHF22N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220 整包 | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHF22N60S-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220 整包 | MOSFET 600V N-Channel Super junction TO-220FP | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电... | ||||||
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SiHF30N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220FP-3 | 2036 | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHF5N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220 整包 | MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHF6N40D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220 整包 | MOSFET 400V 1ohm@10V 6A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHF7N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 整包 | 552 | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHF8N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 整包 | MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIHF8N50L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220 整包 | MOSFET 500V 8A 40W 1ohm @ 10V TO-220FP | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1 O... | ||||||
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SIHFIB16N50K-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 500V 6.7A 45W 350mohm @ 10V | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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SIHG14N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 500V 400mOhm@10V 14A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SiHG16N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Channel 500V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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SIHG17N60D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 600V 340mOhm@10V 17A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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