SIHG14N50D-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-247-3
数量:
 4788  
说明:
 MOSFET 500V 400mOhm@10V 14A N-Ch D-SRS
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SIHG14N50D-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:208 W
包装形式:Tube
封装形式:TO-247AC
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):400 mOhms at 10 V
漏极连续电流:14 A
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHG14N50D-E3的详细信息,包括SIHG14N50D-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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