Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET N/P-Ch MOSFET 12V 40/70mohms@4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8... | ||||||
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SIA513DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6 Dual | MOSFET 20V 4.5A 6.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 60/110mohms@4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 4,407 | MOSFET 12V 4.5A 6.5W 29/61mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8... | ||||||
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 20V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：+/- 4.5 A，电阻汲极... | ||||||
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SIA533EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 12V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：+/- 4.5 A, - ... | ||||||
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SIA810DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA810DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA811ADJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 2,995 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SIA811DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA813DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SIA814DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIA850DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 190V 0.95A 7.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：190 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏... | ||||||
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SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 80,823 | MOSFET 20V 4.5A 7.8W 46mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 3,000 | MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续... | ||||||
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SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 646 | MOSFET 12V 4.5A/4.5A N-CH DUAL MOSFET | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，漏极连续电流：4.5 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.... | ||||||
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SIA911ADJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA911DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA911DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA911EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 20V 4.5A 7.8W 101mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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