SIA519EDJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6 双
数量：: 1602
说明：: MOSFET 20V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET

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SIA519EDJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIA519EDJ-GE3
功率耗散：7.8 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：7.7 nC, 10.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：7 S, 12 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.032 Ohms, 0.074 Ohms
漏极连续电流：+/- 4.5 A
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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