Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 2,982 | MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 12 A，电阻汲... | ||||||
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SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 3,000 | MOSFET 30V 10.1A 19.2W 20mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续... | ||||||
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SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 8V 12A 19W 9.4mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流：1... | ||||||
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SIA438EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIA441DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 46,113 | MOSFET 40V 12A 19W 47mOhms @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SIA443DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 9.0A 15W 45mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA443DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 9.0A 15W 45mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET N-Channel 30 V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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SIA445EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 2,121 | MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 12 A，电阻汲... | ||||||
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SIA447DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 101,805 | MOSFET -12V 13.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：- 0.85 V，... | ||||||
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SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 20V 12A 19.2W 15mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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SIA449DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET -30V 20mOhm@10V 12A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，漏极连续电流：- 12 A，电阻汲... | ||||||
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SIA450DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 240V 290mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIA450DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 240V 290mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIA456DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏... | ||||||
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SIA461DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET -20V -12A 17.9W 33mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：- 1 V，漏极连... | ||||||
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SIA483DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 128,458 | MOSFET -30V 21mOhm@10V 12A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，漏极连续电流：- 12 A，电阻汲... | ||||||
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SIA511DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SC-70-6 Dual | MOSFET 12V 4.5A 6.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8... | ||||||
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