Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI2337DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 80V 2.2A 2.5W 270mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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Si2338DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI2341DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 2.8A 0.9W 72 mohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2341DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 2.8A 0.9W 72mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2343CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 5.9A P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.9 A，电... | ||||||
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SI2343DS-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 30V 4.0A 0.75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2343DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 42,994 | MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2343DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 13 | MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI2351DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 20V 3.0A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI2351DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 3.0A 2.1W 115 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI2365EDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 5.9 A，电阻... | ||||||
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Si2366DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 23,131 | MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI2367DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 11 | MOSFET 20V 3.8A 1.7W 66mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SI2367DS-GE3，... | ||||||
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SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 20V 4.4A P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 4.4 A，电阻汲极/源极 RDS（导通... | ||||||
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SI1033X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-6 | MOSFET 20V 0.15A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连... | ||||||
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SI1033X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.15A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连... | ||||||
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SI1033X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连... | ||||||
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SI1032R-T1 | Vishay/Siliconix | SC-75A-3 | MOSFET 20V 0.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1032R-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 20V 0.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1032R-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75，SOT-416 | 23,359 | MOSFET 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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