SI2343CDS-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOT-23-3(TO-236)
数量:
 6948  
说明:
 MOSFET 30V 5.9A P-CH MOSFET
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SI2343CDS-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI2343CDS-GE3
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:13.6 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :10 S
包装形式:Reel
封装形式:TO-236-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.045 Ohms
漏极连续电流:5.9 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI2343CDS-T1-GE3的详细信息,包括SI2343CDS-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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