Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI1563EDH-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 1.28/1.0 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
SI1563EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 1.28/1.0 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
SI1865DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 1.8-8V 1.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，漏极连续电流：1.2 A，电... | ||||||
|
|
SI1865DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 1.8-8V 1.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，漏极连续电流：1.2 A，电... | ||||||
|
|
SI1867DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 1.8-8.0V w/Lvl-Shift | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，漏极连续电流：0.6 A，电... | ||||||
|
|
SI1869DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：1.2 A，... | ||||||
|
|
SI1869DH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：1.2 A，... | ||||||
|
SI1900DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 30V 0.63A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI1900DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30V 0.63A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI1901DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363 | MOSFET 20V 0.18A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：- 180 ... | ||||||
|
|
SI1902DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 0.70A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SI1902DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 0.70A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI1903DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 0.44A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI1903DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 20V 0.44A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI1905BDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 8.0V 0.63A 0.357W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极... | ||||||
|
|
SI1905DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 8V 0.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
SI1905DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 8V 0.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
SI1906DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363 | MOSFET 20V 0.25A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：250 mA，电... | ||||||
|
|
SI1907DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 12V 0.56A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI1907DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 12V 0.56A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
102/219 首页 上页 [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] 下页 尾页
