| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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2SK3564(Q) |
Toshiba |
TO-220 SIS |
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MOSFET N-Ch 900V 3A Rdson 4.3 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... |
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2SK3565 |
Toshiba |
SC-67 |
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MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... |
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2SK3565(Q) |
Toshiba |
TO-220 NIS |
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MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... |
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2SK3565(Q,M) |
Toshiba |
TO-220SIS |
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MOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 5A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：50，... |
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2SK3565(STA4,Q,M |
Toshiba |
SC-67 |
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MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... |
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2SK3566 |
Toshiba |
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MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，... |
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2SK3566(Q) |
Toshiba |
TO-220 SIS |
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MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... |
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2SK3566(STA4,Q,M) |
Toshiba |
TO-220-3 整包 |
461 |
MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... |
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2SK3567 |
Toshiba |
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MOSFET N-Ch 600V 3.5A Rdson 2.2 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，... |
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2SK3567(Q) |
Toshiba |
TO-220 SIS |
|
MOSFET N-Ch 600V 3.5A Rdson 2.2 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... |
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2SK3568 |
Toshiba |
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MOSFET N-Ch 500V 12A Rdson 0.52 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，... |
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2SK3568(Q) |
Toshiba |
TO-220SIS |
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MOSFET N-Ch 500V 12A Rdson 0.52 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... |
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2SK3568(Q,M) |
Toshiba |
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MOSFET MOSFET N-Ch, 500V, 12A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：50，... |
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2SK3569 |
Toshiba |
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MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson 0.75 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，... |
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2SK3569(Q) |
Toshiba |
TO-220SIS |
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MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson 0.75 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... |
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2SK3569(Q,M) |
Toshiba |
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MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 10A |
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| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：50，... |
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2SJ201-Y(F) |
Toshiba |
TO-3P |
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MOSFET MOSFET P-Ch 200V 12A Rdson 0.625 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... |
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2SJ304(F) |
Toshiba |
TO-220-3 整包 |
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MOSFET MOSFET P-Ch 60V 14A Rdson 0.12 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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2SJ305TE85LF |
Toshiba |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
7,320 |
MOSFET P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... |
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2SJ334(F) |
Toshiba |
TO-220 |
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MOSFET MOSFET P-Ch 60V 30A Rdson 0.038 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
