2SJ201-Y(F)

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中文参数如下：

工厂包装数量：100
功率耗散：150 W
包装形式：Bulk
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
配置：Single
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 200 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

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