| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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TK20S04K3L(T6L1,NQ |
Toshiba |
DPAK+ |
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MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014 |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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TK20S06K3L(T6L1,NQ |
Toshiba |
DPAK+ |
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MOSFET N-Ch MOS 20A 60V 38W 780pF 0.029 |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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TK20X60U(TE24L,Q) |
Toshiba |
TFP |
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MOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... |
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TK22E10N1,S1X |
Toshiba |
TO-220 |
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MOSFET N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，包装形式：Bulk，... |
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TK25E06K3,S1X(S |
Toshiba |
TO-220-3 |
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MOSFET N-Ch 60V 25A Rdson 0.046 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲极/源... |
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TK2A65D(STA4,Q,M) |
Toshiba |
TO-220SIS |
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MOSFET N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26 |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... |
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TK2P60D(TE16L1,NQ) |
Toshiba |
PW-MOLD |
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MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 3.4 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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TK2Q60D(Q) |
Toshiba |
TO-251-3 短截引线，IPak |
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MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... |
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TK30E06N1,S1X |
Toshiba |
TO-220-3 |
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MOSFET N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，包装形式：Bulk，... |
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TK30S06K3L(T6L1,NQ |
Toshiba |
DPAK+ |
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MOSFET N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018 |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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TK31A60W,S4VX |
Toshiba |
TO-220-3 整包 |
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MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：30.8 A，电阻... |
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TK31E60W,S1VX |
Toshiba |
TO-220 |
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MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：30.8 A，电阻... |
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TK31J60W,S1VQ |
Toshiba |
TO-3P（N） |
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MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：30.8 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... |
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TK31J60W5,S1VQ |
Toshiba |
TO-3P（N） |
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MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：30.8 A，电阻... |
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TK32E12N1,S1X |
Toshiba |
TO-220-3 |
28 |
MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极... |
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TK34E10N1,S1X |
Toshiba |
TO-220 |
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MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，包装形式：Bulk，... |
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TK35E08N1,S1X |
Toshiba |
TO-220-3 |
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MOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，包装形式：Bulk，... |
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TK35E10K3(S1SS-Q) |
Toshiba |
TO-220 |
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MOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... |
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TK35S04K3L(T6L1,NQ |
Toshiba |
DPAK+ |
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MOSFET N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103 |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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TK39J60W5,S1VQ |
Toshiba |
TO-3P-3，SC-65-3 |
26 |
MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：38.8 A，电阻... |
