TK39J60W5,S1VQ

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-3P-3,SC-65-3
数量:
 8234  
说明:
 MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
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TK39J60W5,S1VQ PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:200 ns
上升时间:50 ns
功率耗散:270 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:110 nC
下降时间:9 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.055 Ohms
漏极连续电流:38.8 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

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