Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTK88N30P | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：88 A，电阻汲... | ||||||
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IXTK8N150L | Ixys | TO-264（IXTK） | MOSFET 8 Amps 1500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：25，... | ||||||
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IXTK90N15 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET 90 Amps 150V 0.016 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲... | ||||||
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IXTK90N25L2 | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | 2,354 | MOSFET 90 Amps 250V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXTK90P20P | Ixys | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 90 A... | ||||||
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IXTL2x180N10T | Ixys | ISOPLUSi5-Pak? | MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTL2x200N085T | Ixys | ISOPLUSi5-Pak? | MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：224 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTL2x220N075T | Ixys | ISOPLUSi5-Pak? | MOSFET 220 Amps 75V 3.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：240 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTL2x240N055T | Ixys | ISOPLUSi5-Pak? | MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：280 A，电阻汲... | ||||||
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IXTM12N90 | Ixys | TO-204AA | MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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IXTM21N50 | Ixys | TO-204AE | MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲... | ||||||
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IXTM24N50 | Ixys | TO-204AE | MOSFET 24 Amps 500V 0.25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXTN110N20L2 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 143 | MOSFET 100Amps 200V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
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IXTN120N25 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 120 Amps 250V 0.02 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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IXTN120P20T | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET TrenchP Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，... | ||||||
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IXTN170P10P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 86 | MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... | ||||||
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IXTN17N120L | Ixys | SOT-227B | MOSFET 17 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：17 A，电阻... | ||||||
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IXTN200N10L2 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | 1,324 | MOSFET Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：178 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXTN200N10T | Ixys | SOT-227B | 10 | MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0054 Ohms，配置：Single，最大工作... | ||||||
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IXTN21N100 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻... | ||||||
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