IXTN200N10L2

厂家：: Ixys
封装：: SOT-227-4，miniBLOC
数量：: 8893
说明：: MOSFET Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA

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IXTN200N10L2 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：830 W
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：90 S / 55 S
封装形式：SOT-227
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11 mOhms
漏极连续电流：178 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTN200N10L2的详细信息，包括IXTN200N10L2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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