Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTQ180N055T | Ixys | TO-3P | MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTQ180N085T | Ixys | TO-3P | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTQ180N10T | Ixys | TO-3P | MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTQ182N055T | Ixys | TO-3P | MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：182 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTQ18N60P | Ixys | TO-3P | MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：18 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ200N06P | Ixys | TO-3P | MOSFET 200 Amps 60V 0.006 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ200N075T | Ixys | TO-3P | MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTQ200N085T | Ixys | TO-3P | MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTQ200N10T | Ixys | TO-3P | 16 | MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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IXTQ220N055T | Ixys | TO-3P | MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：220 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTQ220N075T | Ixys | TO-3P | MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：220 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTQ22N50P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 223 | MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ22N60P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 190 | MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ230N085T | Ixys | TO-3P | MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，漏极连续电流：230 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTQ23N60Q | Ixys | TO-3P | MOSFET 23 Amps 600V 0.320 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ240N055T | Ixys | TO-3P | MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：240 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTQ24N55Q | Ixys | TO-3P | MOSFET 24 Amps 550V 0.270 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ250N075T | Ixys | TO-3P | MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：250 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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IXTQ26N50P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 194 | MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXTQ26N60P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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