IXTQ182N055T

厂家：: Ixys
封装：: TO-3P
数量：: 180
说明：: MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

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IXTQ182N055T PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：53 ns
工厂包装数量：30
上升时间：35 ns
功率耗散：360 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：38 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.005 Ohms
漏极连续电流：182 A
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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