Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXTR62N15P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 62 Amps 150V 0.045 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTR90P10P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET -57.0 Amps -100V 0.270 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTR90P20P | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET -90.0 Amps -200V 0.048 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTT100N25P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻... | ||||||
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IXTT10N100D | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：10 A，电阻... | ||||||
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IXTT10P50 | Ixys | TO-268AA | MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电... | ||||||
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IXTT10P60 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTT110N10L2 | Ixys | TO-268AA | 1 | MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：18 mOhms a... | ||||||
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IXTT110N10P | Ixys | TO-268AA | MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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IXTT11P50 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 11 Amps 500V 0.75 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 11 A... | ||||||
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IXTT120N15P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 240 | MOSFET POLAR HT MOSFET 150V 120A | |
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXTT140N10P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：140 A，电阻... | ||||||
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IXTT16N20D2 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs | ||
| 参数：制造商：IXYS，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲极/源极 RDS（导通... | ||||||
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IXTT16P20 | Ixys | TO-268AA | MOSFET -16 Amps -200V 0.16 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTT16P60P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 4 | MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTT170N10P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：170 A，电阻... | ||||||
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IXTT1N100 | Ixys | TO-268AA | MOSFET 1 Amps 1000V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.5 A，电... | ||||||
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IXTT20N50D | Ixys | TO-268AA | MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXTT20P50P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 966 | MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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IXTT24N50Q | Ixys | TO-268 | MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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