Diodes Inc.
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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ZXMN10A08E6TC | Diodes Inc. | SOT-23-6 | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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ZXMN10A11GTC | Diodes Inc. | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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ZXMN10A11KTC | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS) | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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ZXMN10A25KTC | Diodes Inc. | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS) | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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ZXMN2A02X8TA | Diodes Inc. | 8-MSOP | MOSFET 20V N Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ZXMN2AM832TA | Diodes Inc. | - | 3,302 | MOSFET Dl 20V N Chnl UMOS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZXMN2B03E6TA | Diodes Inc. | SOT-23-6 | MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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ZXMN3A02X8TA | Diodes Inc. | 8-MSOP | MOSFET 30V N Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ZXMN3A04DN8TA | Diodes Inc. | 8-SO | 20,713 | MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ZXMN3B01FTA | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 13,044 | MOSFET 30V N Chnl UMOS | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMN3B04N8TC | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V N Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMN4A06KTC | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ZXMN6A08KTC | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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ZXMN6A11GTC | Diodes Inc. | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 60V N-Chnl UMOS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ZXMN7A11GTA | Diodes Inc. | TO-261-4，TO-261AA | 5,662 | MOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ZXMNS3BM832TA | Diodes Inc. | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET 30V N Ch UMOS/1ASch | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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ZXMP10A16KTC | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET P-Chan 100V MOSFET (UMOS) | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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ZXMP10A17KTC | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET 100V P-Ch MOSFET 20V VGS -11.3A IDM | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3... | ||||||
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ZXMP10A18KTC | Diodes Inc. | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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ZXMP2120G4TA | Diodes Inc. | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 200V 200mA P-Channel Enhancement MOSFET | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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