Diodes Inc.
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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DMN26D0UFB4-7 | Diodes Inc. | 3-XFDFN | 28,456 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：230 mA，... | ||||||
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DMN26D0UT-7 | Diodes Inc. | SOT-523 | 226,545 | MOSFET N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 10... | ||||||
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DMN2990UDJ-7 | Diodes Inc. | SOT-963 | 16,975 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT963,10K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN2990UFA-7B | Diodes Inc. | 3-XFDFN | 69,693 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN3005LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET N-Ch FET VDSS 30V VGSS 20V PD 1.68W | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：14.5 A... | ||||||
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DMN3007LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2.5W 16A 30V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3010LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3018SSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：6.7 A，... | ||||||
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DMN3018SSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN3020LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN3024LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3024LSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | 118,464 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN3024LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN3024SFG-13 | Diodes Inc. | 8-PowerVDFN | MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 7.5A - 6.3A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25... | ||||||
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DMN3024SFG-7 | Diodes Inc. | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerD3333-8,2K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25... | ||||||
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DMN3030LFG-7 | Diodes Inc. | PowerDI3333-8 | MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：5.3 A，电阻汲极/源极 RDS（导... | ||||||
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DMN3030LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SO | 16 | MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 9A | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25... | ||||||
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DMN3031LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOP | MOSFET SINGLE N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3033LDM-7 | Diodes Inc. | SOT-23-6 | 13,749 | MOSFET NMOS-SINGLE | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3033LSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | 2,211 | MOSFET NMOS-DUAL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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