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DMN3030LFG-7

厂家：
  Diodes Inc.
封装：
 PowerDI3333-8
数量：
 7272  
说明：
 MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS
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DMN3030LFG-7 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：19 ns
上升时间：6.6 ns
功率耗散：0.9 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：17.4 nC
下降时间：6.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerDI3333-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：27 mOhms
漏极连续电流：5.3 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN3030LFG-7的详细信息，包括DMN3030LFG-7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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