| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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TISP61089DR-S |
Bourns |
8-SOIC |
1,529 |
SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089D-S |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089HDMR-S |
Bourns |
8-SOIC |
8,607 |
SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：7.7 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDR... |
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TISP61089P |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089P-S |
Bourns |
PDIP-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089QBDR-S |
Bourns |
8-SOIC |
15,130 |
SCR Quad Programmable Protector |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：- 170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：- 5 u... |
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TISP61089QDR-S |
Bourns |
SOIC-8 |
1818 |
SCR Quad programmable Thyristor |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：- 170 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：- 5 u... |
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TISP61089SDR |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61089SDR-S |
Bourns |
8-SOIC |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，最大转折电流 IBO：11 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM... |
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TISP61511D |
Bourns |
SOIC-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... |
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TISP61511DR |
Bourns |
SO-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... |
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TISP61511DR-S |
Bourns |
8-SOIC |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... |
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TISP61511D-S |
Bourns |
SO-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... |
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TISP61512P |
Bourns |
PDIP-8 |
|
SCR |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... |
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TISP61512P-S |
Bourns |
PDIP-8 |
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SCR |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... |
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TISP61521DR |
Bourns |
SO-8 |
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SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：175 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... |
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TISP61521DR-S |
Bourns |
8-SOIC |
54 |
SCR Dual P Gate Forward Conducting |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，额定重复关闭状态电压 VDRM：175 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... |
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TISP61CAP3P |
Bourns |
PDIP-8 |
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SCR |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，安装风格：Through Hole，封装形式：PDIP-8，工厂包装数量：50，... |
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TISP61CAP3P-S |
Bourns |
PDIP-8 |
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SCR |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：PDIP-8，工厂包装数量：50，... |
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TISP6L7591DR |
Bourns |
SO-8 |
|
SCR DUAL P GATE FORWARD CONDUCTING |
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| 参数：制造商：Bourns，产品种类：SCR，RoHS：否，额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... |
