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TISP61511D

厂家：
  Bourns
封装：
 SOIC-8
数量：
 3069  
说明：
 SCR Dual P Gate Forward Conducting
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TISP61511D PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：75
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 mA
额定重复关闭状态电压 VDRM：100 V
RoHS：否
产品种类：SCR
制造商：Bourns

以上是TISP61511D的详细信息，包括TISP61511D厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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