首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > ZXTN19100CFFTA

ZXTN19100CFFTA

厂家：
  Diodes Inc.
封装：
 SOT-23F
数量：
 8559  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN 100V Transitor
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
ZXTN19100CFFTA-SOT-23F图片

ZXTN19100CFFTA PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：16000 mW
直流电流增益 hFE 最大值：200
封装形式：SOT-23F
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：200 at 0.1 A at 2 V, 130 at 1 A at 2 V
增益带宽产品fT：150 MHz
最大直流电集电极电流：4.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
集电极—基极电压 VCBO：200 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXTN19100CFFTA的详细信息，包括ZXTN19100CFFTA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • EMH1FHAT2R
  • PUMH2/DG/B3,115
  • PUMH1/DG/B3,115
  • PUMD2/DG/B3,135
  • PUMD2/DG/B3,115
  • PUMD16/ZLX
  • PUMD12/DG/B3,115
  • PUMB2/DG/B3,115
  • PUMB1/DG/B3,115
  • PUMH2/DG/B4X

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC