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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:45 us
上升时间:10 us
功率耗散:1.3 W
最小工作温度:- 40 C
下降时间:15 us
包装形式:Reel
封装形式:SOT-223
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 125 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):500 mOhms
漏极连续电流:0.9 A
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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