ZXMC3A16DN8TC

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: 8-SO
数量：: 1233
说明：: MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC

一、本商品被浏览0次.

ZXMC3A16DN8TC PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs17.5nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9A, 4.1A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 796pF @ 25V
功率 - 最大1.25W
安装类型表面贴装

以上是ZXMC3A16DN8TC的详细信息，包括ZXMC3A16DN8TC厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：