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中文参数如下:
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:750 mW
集电极连续电流:0.8 A
集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V
最大工作频率:200 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:250
封装形式:TO-92-3
安装风格:Through Hole
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.
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