VT6Z2T2R

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
认证机构：
封装封装/外壳：6-SMD
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：350MHz
功率 - 最大值：150mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，6V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
晶体管类型：NPN，PNP
产品状态：最后售卖
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

以上是VT6Z2T2R的详细信息，包括VT6Z2T2R厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

DCX122TH-13

DCX142TH-13

DCX122LH-13

RN49A1(TE85L,F)

RN46A1(TE85L,F)

RN49A1FE(TE85L,F)

EMB10FHAT2R

RN2714,LF

ADC113TUQ-13

ADA123JUQ-13