点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:2500
功率耗散:60 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5 S
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.14 Ohms
漏极连续电流:7 A
汲极/源极击穿电压:42 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是VND7N04TR-E的详细信息,包括VND7N04TR-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!