VMO650-01F

厂家:
  Ixys
封装:
 Y3-DCB
数量:
 1892  
说明:
 MOSFET 650 Amps 100V
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VMO650-01F PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:800 ns
工厂包装数量:2
上升时间:500 ns
功率耗散:2500 W
最小工作温度:- 40 C
下降时间:200 ns
包装形式:Bulk
封装形式:Y3-DCB
安装风格:Screw
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0018 Ohms
漏极连续电流:690 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是VMO650-01F的详细信息,包括VMO650-01F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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