US6M2GTR

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 TUMT6
数量:
 8226  
说明:
 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN
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US6M2GTR PDF参数资料

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中文参数如下:

封装封装/外壳:6-SMD,扁平引线
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C
功率 - 最大值:1W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):80pF @ 10V,150pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.2nC @ 4.5V,2.1nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA,2V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):240 毫欧 @ 1.5A,4.5V,390 毫欧 @ 1A,4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A,1A
漏源电压(Vdss):30V,20V
FET 功能:-
配置:N 和 P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Rohm Semiconductor

以上是US6M2GTR的详细信息,包括US6M2GTR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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