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US6J12TCR

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TUMT6
数量：: 8217
说明：: 1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1

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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：6-SMD，扁平引线
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：910mW（Ta）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：850pF @ 6V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.6nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：105 毫欧 @ 2A，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta）
漏源电压（Vdss）：12V
FET 功能：-
配置：2 个 P 沟道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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