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TT8U2TCR

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-TSST
数量：: 7839
说明：: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST

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中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
FET 功能：肖特基二极管（隔离式）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：850 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.7 nC @ 4.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：105 毫欧 @ 2.4A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.4A（Ta）
漏源电压（Vdss）：20 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

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