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TT8M1TR

厂家：
  Rohm Semiconductor
封装：
 8-TSST
数量：
 3441  
说明：
 MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-SMD，扁平引线
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：260pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.6nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：72 毫欧 @ 2.5A，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A
漏源电压（Vdss）：20V
FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
配置：N 和 P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

以上是TT8M1TR的详细信息，包括TT8M1TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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