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TT8K11TCR

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-TSST
数量：: 3429
说明：: MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-SMD，扁平引线
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：140pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.5nC @ 5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：71 毫欧 @ 3A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A
漏源电压（Vdss）：30V
FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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