TPN5900CNH,L1Q

厂家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装:
 8-PowerVDFN
数量:
 3411  
说明:
 MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
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TPN5900CNH,L1Q PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:8-PowerVDFN
封装/外壳:8-TSON Advance(3.1x3.1)
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
同步整流器:700mW(Ta),39W(Tc)
频率 - 开关:-
电流 - 输出:600 pF @ 75 V
电压 - 输出(最大值):±20V
电压 - 输出(最小值/固定):7 nC @ 10 V
电压 - 输入(最大值):4V @ 200μA
电压 - 输入(最小值):59 毫欧 @ 4.5A,10V
输出数:10V
输出类型:9A(Ta)
拓扑:150 V
输出配置:MOSFET(金属氧化物)
功能:N 通道
产品状态:在售
包装:U-MOSVIII-H
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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