TPC8A04-H(TE12L,Q)

厂家：: Toshiba
封装：: SOP-8
数量：: 1179
说明：: MOSFET MOSFET N-ch/SBD 30V 18A

一、本商品被浏览0次.

TPC8A04-H(TE12L,Q) PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
上升时间：4.5 ns
功率耗散：1900 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：4.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
漏极连续电流：18 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TPC8A04-H(TE12L,Q)的详细信息，包括TPC8A04-H(TE12L,Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：