
点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:3000
上升时间:4 ns
功率耗散:1.5 W
下降时间:2 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOP-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.05 Ohms
漏极连续电流:5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPC8213-H(TE12LQ,M的详细信息,包括TPC8213-H(TE12LQ,M厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!