TN2130K1-G-VAO

厂家：: Microchip Technology
封装：: SOT-23-3
数量：: 8955
说明：: MOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-3

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TA）
功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 欧姆 @ 120mA，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：85mA（Tj）
漏源电压（Vdss）：300 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Microchip Technology

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