TK12D60U(Q)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-220
数量:
 2511  
说明:
 MOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
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TK12D60U(Q) PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:50
上升时间:30 ns
功率耗散:144 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:8 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.4 Ohms
漏极连续电流:12 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是TK12D60U(Q)的详细信息,包括TK12D60U(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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