TCDT1101G

厂家:
  Vishay Semiconductors
封装:
 6-DIP
数量:
 5839  
说明:
 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80%
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TCDT1101G-6-DIP图片

TCDT1101G PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:3000
输出类型:DC
输出设备:NPN Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
最大反向二极管电压:5 V
最大输入二极管电流:60 mA
包装形式:Tube
封装形式:PDIP-6
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 100 C
最大功率耗散:250 mW
最大集电极电流:50 mA
最大正向二极管电压:1.6 V
电流传递比:80 %
绝缘电压:5000 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V
最大集电极/发射极电压:32 V
输入类型:DC
RoHS:是
产品种类:晶体管输出光电耦合器
制造商:Vishay

以上是TCDT1101G的详细信息,包括TCDT1101G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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