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中文参数如下:
:
封装封装/外壳:56-VFQFN 裸露焊盘
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 欧姆 @ 1A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
漏源电压(Vdss):200V
FET 功能:-
配置:6 N 和 6 P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Microchip Technology
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