SUP85N03-3M6P-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-220AB
数量:
 3735  
说明:
 MOSFET 30 Volts 85 Amps 78.1 Watts
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SUP85N03-3M6P-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:78.1 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Bulk
封装形式:TO-220
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0036 Ohms at 10 V
漏极连续电流:85 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUP85N03-3M6P-GE3的详细信息,包括SUP85N03-3M6P-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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