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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:16 ns, 24 ns
工厂包装数量:2000
上升时间:14 ns, 9 ns
功率耗散:2.8 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:7 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.02 Ohms
漏极连续电流:8.5 A
闸/源击穿电压:+/- 16 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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