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STW68N65DM6-4AG

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-247-4
数量：
 18  
说明：
 MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：480W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5900 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：118 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 36A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：72A（Tc）
漏源电压（Vdss）：650 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101, MDmesh?
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

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