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STW35N65DM2

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-247-3
数量：
 4923  
说明：
 MOSFET N-CH 650V 32A TO247
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STW35N65DM2 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：250W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2540 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：56.3 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：110毫欧 @ 16A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Tc）
漏源电压（Vdss）：650 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：MDmesh? DM2
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STW35N65DM2的详细信息，包括STW35N65DM2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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