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STS8DN6LF6AG

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 8-SO
数量：
 0  
说明：
 MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO
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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：3.2W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1340pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 4A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta）
漏源电压（Vdss）：60V
FET 功能：逻辑电平门
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101, STripFET? F6
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

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