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STS5DP3LLH6

厂家：: STMicroelectronics
封装：: 8-SO
数量：: 1395
说明：: MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：2.7W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：639pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：56 毫欧 @ 2.5A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta）
漏源电压（Vdss）：30V
FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
配置：2 个 P 沟道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：DeepGATE?, STripFET? H6
系列：卷带（TR）
品牌：STMicroelectronics

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